プレスリリース
2024年9月26日
～業界トップレベルの高アイソレーション～
5G基地局向け吸収型SPDTスイッチ「NT1819」サンプル配布開始
日清紡マイクロデバイス株式会社(代表取締役社長：吉岡 圭一)は、業界トップレベル※1のアイソレーションを実現した5G基地局に最適なSPDTスイッチ「NT1819」のサンプル配布を本日9月26日から開始いたします。
スマート社会の実現に向けて、5Gサービスが開始されています。これにより、高速、低遅延かつ大容量のデータ通信が可能となり、私たちの生活や産業に大きな変化をもたらし始めています。
5G基地局には多くのアンテナがあり、それぞれが強い電波を送信します。電波の相互干渉を防ぐために送信アンプの歪み補償回路には、非常に高いアイソレーションとOff端子の50Ω終端機能を有するスイッチが必要です。
「NT1819」は、長年蓄積したRFデバイス技術により、5Gで使用しているsub-6帯域で60dB以上の高アイソレーションを実現し、隣接する素子間の干渉を低減させる事が可能です。また、50Ω終端機能を内蔵した事で、インピーダンスの不整合を防ぎます。これらの特性及び機能により、5G通信網の安定性を高め、幅広い用途にご利用いただけます。
※1 2024年9月26日 日清紡マイクロデバイス調べ
| 製品名 | NT1819NAAE2S |
| サンプル単価 (100個購入時の参考価格／税込※) | 550円 |
| サンプル配布開始 | 2024年9月26日 |
| 月産規模 | 100万個 |
- ※2024年9月現在の消費税率に基づいて金額を表示しています
特?
1. 高アイソレーション
60dB以上の高アイソレーションにより、5G基地局でDPD※2信号を集約する用途に最適です。 5G基地局向けRFICでは、DPD用端子数が限られているためスイッチを使用して信号を集約する必要があります。隣接ブロックとの影響による歪み特性劣化等を防ぐため、PC-P1/P2間だけでなくP1-P2間も含めて高いアイソレーションを実現しました。
※2 Digital Pre-Distortion/歪み補償
2. 吸収型50Ω終端内蔵
50Ω終端の吸収型にすることで、スイッチon/offのどちらの状態でもインピーダンスを常に50Ωに保つ事が出来る為、回路の安定動作に貢献します。
3. 7.125GHz対応
5Gの主要周波数帯域である3.3 ～ 5.0 GHz (n77, n78, n79) に加え、6.425 ～ 7.125 GHz (n104) を追加される事が検討されております。また5.9 ~ 7.125 GHzの帯域はWiFiや米国のUnlicensed 帯を使用した通信でも利用されています。
本製品は7.125GHz迄対応していますので、n104帯などの高い帯域を使用する通信方式でご利用いただけます。
使用例：5G基地局 RFブロック図とポート間アイソレーション
製品写真
パッケージ:QFN3030-16-NA
主な仕様（詳細はデータシートをご参照ください）
| 項目 | NT1819NAAE2S |
| パッケージ | 3.0 x 3.0 x 0.75 mm |
| 電源電圧 | 2.5 V to 5.0 V (3.3 V typ.) |
| 動作電流(消費電流) | 200 μA Typ. |
| 対応周波数 | 0.2 GHz to 7.125 GHz |
| 挿入損失 | 0.70/0.80/0.85/0.90/1.20 dB typ. @ 0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz |
| アイソレーション | 70/62/60/55/51 dB typ. (PC-P1/P2)
70/61/60/58/55 dB typ. (P1-P2)
@ 0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz |
| P-0.1dB | +31 dBm typ. @ 0.7 to 7.125 GHz |
| 切り替え時間 | 250 ns typ. |
| 動作温度範囲 | -40 to +105°C |
想定アプリケーション
- セルラー基地局(マクロセル、スモールセル等)
- その他無線通信機器
このニュースリリースの詳細 (PDF)
～業界トップレベルの高アイソレーション～
5G基地局向け吸収型SPDTスイッチ「NT1819」サンプル配布開始
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